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반도체 입문과 FAB 공정실습

  • 사업주훈련은 사업주( = 사업장 대표)가 소속근로자 등의 직무수행능력을 향상시키기 위하여 훈련을 실시할 때
  • 이에 소요되는 비용의 일부를 지원해 주는 제도
    사업주 직업능력개발훈련이라고도 합니다.
  • 우선지원기업 0원 / 중소기업 0원 / 대기업 0원
학습유형
학습시작일
학습기간

1개월

수료기준 진도 80% 이상 , 시험 0회 , 과제 0회 상세보기
교육비정가 0원
실결제금액 교육원 문의
  • 과정소개
  • 학습대상
  • 학습목표
  • 학습내용
  • 평가기준
과정 소개 반도체를 모르는 학습자, 문과생, 일반인도 이해할 수 있도록 반도체를 쉽게 풀어내는 반도체 공학 기초과정과 이공계 학생들에게 좀 더 깊게 들어가서 Clean Fab에서의 반도체 제작과정을 다루는 심화과정으로 나뉘어져 있는 과정
학습 대상 1. 인문계열 전공자
2. 이공계 전공자이나 반도체에 대한 기초 공학교육을 받지 않은 학습자
3. 반도체 관련 전공자이나 반도체의 기초부터 팹공정까지 실력을 다지고 싶은 학습자
4. 반도체 분야 학습을 통해 인공지능 등 IT 신기술 분야의 발전을 팔로우업하고 싶은 학습자
5. 반도체 공학 기초를 마치고 클린룸부터 제조공정의 원리 및 실제를 체험하고 싶은 학습자
6. 반도체 관련 업계에 취업을 원하나 팹 경험이 없는 학습자
학습 목표 디지털 전환의 시작이자 디지털 신기술 구현을 위한 필수 기초소재인 첨단 반도체 소자에 대한 이해를 높이고, 반도체 제조공정의 핵심인 Wafer 가공공정(FAB) 체험을 통해 디지털 기술의 현업적용능력을 제고할 수 있다.
학습내용
차시 내용
1차시 반도체 입문과 공학 기초 - 최초의 컴퓨터 ENIAC
2차시 반도체 입문과 공학 기초 - 쿨롱의 법칙과 진공관
3차시 반도체 입문과 공학 기초 - 휴대폰과 반도체
4차시 반도체 입문과 공학 기초 - Digital 회로와 MOS Transistor
5차시 반도체 입문과 공학 기초 - 전압, 전류 및 저항
6차시 반도체 입문과 공학 기초 - 회로패턴 형성의 원리
7차시 반도체 입문과 공학 기초 - 8대 공정과 플라즈마
8차시 반도체 입문과 공학 기초 - 최외각 전자와 도핑
9차시 반도체 입문과 공학 기초 - 실리콘웨이퍼와 반도체 제조원가
10차시 반도체 입문과 공학 기초 - Technology, Design Rule
11차시 반도체 입문과 공학 기초 - 반도체 칩 제조 과정 및 Wafer Probing, PCM
12차시 반도체 입문과 공학 기초 - Mask revision과 반도체 제품의 분류
13차시 반도체 입문과 공학 기초 - 메모리의 구조 및 DRAM 동작원리
14차시 반도체 입문과 공학 기초 - Charge-sharing, DDR
15차시 반도체 입문과 공학 기초 - NOR, NAND Flash Memory
16차시 반도체 입문과 공학 기초 - MLC, 3D-NAND flash
17차시 반도체 입문과 공학 기초 - 반도체 산업구조 및 System LSI Design Flow
18차시 Fab Operation & Production - Fab 내부구조 및 작업공간과 공정 흐름
19차시 Fab Operation & Production - Fab 제조 공정의 설비와 배치
20차시 Fab Operation & Production - 청정도 유지 및 관리
21차시 Fab Operation & Production - 수율 및 생산성 향상
22차시 Fab Operation & Production - Wafer 및 lot 구분 관리와 Fab 라인 운영 Tool
23차시 Fab Operation & Production - Wafer 계측/검사 및 Recipe/Product 관리
24차시 MOSFET GO - Orientation & FAB Tour
25차시 MOSFET GO - Gate Stack Process
26차시 MOSFET GO - Photo Process
27차시 MOSFET GO - Etch Process
28차시 MOSFET GO - S/D Implant Process
29차시 MOSFET GO - S/D Activation Process
30차시 MOSFET GO - Metal Mask & Deposition Process
31차시 MOSFET GO - Metal Lift-off Mask & FGA
32차시 MOSFET GO - Probe Station
33차시 MOSFET GO - Wrap up
평가기준
평가항목 진도율 시험 과제 진행단계평가 수료기준
평가비율 - 0% 0% 0% -
수료조건 80% 이상 0점 이상 0점 이상 0점 이상 0점 이상